Процесс действия ионного осаждения

Процесс ионного осаждения заключается в следующем: источник испарения соединяет анод, заготовка соединяет катод, при подключении к постоянному напряжению высокого напряжения от трех до пяти тысяч вольт источник испарения и заготовка создают тлеющий разряд. Из-за инертного газа аргона в вакуумной крышке часть газа аргона ионизируется под действием электрического поля разряда, образуя темную область плазмы вокруг катодной заготовки. Привлеченный отрицательным катодом высокого давления, положительно заряженный ион аргона яростно бомбардирует поверхность заготовки, вызывая выплескивание поверхностных частиц и грязи заготовки, так что поверхность обрабатываемой детали полностью очищается ионами бомбардировка. Затем включается источник переменного тока источника испарения, и частицы испаряющегося материала плавятся и испаряются, попадают в область тлеющего разряда и ионизируются. Положительно заряженные ионы испаряющегося материала при притяжении катода вместе с ионами аргона устремляются к заготовке. Когда ионы испаряющегося материала, осажденные на поверхности заготовки, превышают количество пролившихся ионов, они постепенно накапливаются, образуя слой покрытия, прочно приклеенного к поверхности заготовки. Это простой процесс ионного покрытия.

IKS PVD Technology (Shenyang) Co., Ltd manufacturer Производитель вакуумных лакировочных машин PVD из Китая, наш основной продукт: машины для нанесения декоративных покрытий, лакировочные машины, оптические лакировочные машины, PVD лакировочные линии. Более подробная информация, контакт: iks.pvd@foxmail. ком