Представление знаний покрытие PVD
Mar 06, 2019| Представление знаний покрытие PVD
IKS PVD, iks.pvd@foxmail.com
PVD (физическое парофазное осаждение): процесс передачи атом или молекула из источника на подложке поверхность с помощью физического процесса. Его роль заключается в том, чтобы сделать некоторые специальные свойства (высокая прочность, износостойкость, тепловыделение, коррозии и т.д.) частиц, распыляется на матрице с низкой производительностью, чтобы матрица имеет лучшую производительность. Основные методы PVD: вакуум-выпарки, распыления, Ион покрытием (полый катод Ион покрытием, Ион покрытием горячим катодом, дуги Ион покрытием, реактивный Ион покрытием, rf Ион покрытием, постоянного тока разряда Ион покрытием)
PVD технологии появились в подготовке тонкой пленки с высокой твердостью, низкий коэффициент трения, хорошая одежда сопротивления и химической стабильностью и другие преимущества. Во-первых успешное применение в области высокоскоростных стальных инструментов привлекла большое внимание в обрабатывающей промышленности по всему миру. При разработке высокую производительность и высокую надежность покрытия оборудования, люди также провели более углубленных исследований по применению покрытий в цементированный карбид и керамические инструменты. По сравнению с процессом CVD, PVD процесса температура низка, до 600℃Когда изгибу режущий инструмент материалов; Состояние внутреннего напряжения фильма — напряжений, который больше подходит для покрытия карбида точности и сложных инструментов. PVD процесс имеет никакого неблагоприятного воздействия на окружающую среду, в соответствии с направлением развития современных зеленый производства. В настоящее время широко используется технология покрытия PVD покрытие лечения твердосплавными пластинами, сверлить бит, шаг сверла, нефти отверстие, Ример, водопроводной, сменные фрезы, поворотным лезвием, специальной формы резец, Сварка резец и так далее.
PVD технологии не только улучшает прочность сцепления между тонкой пленки и материала матрицы инструмента, но и развивает состава покрытия от первого поколения олова TiC, TiCN, ZrN, CrN, MoS2, TiAlN, TiAlCN, олово aln, CNx, DLC и та c, и т.д. [2]
Расширение магнитно контролируемых катодом дуговой: катодом дуговой технологии является полное осаждение тонкопленочных материалов в условиях вакуума с распадаются целевой объект в состояние низкого напряжения и высокой ток ионов. Расширенной магнетрона катодной дуги могут эффективно управлять дуги на поверхности материала мишени с помощью взаимодействия электромагнитного поля, так что уровень ионизации материала выше и производительность фильм лучше.
Отфильтрованные катодной дуги: система электромагнитной фильтрации отфильтрованных катодной дуги (FCA), оснащен высокой ионной эффективным источником могут быть произведены макроскопических частиц плазмы и ионной масс-фильтра чистой, после магнитные фильтрации осадочных частиц ионизации ставка составила 100% и можно отфильтровать более крупных частиц, поэтому подготовка фильма является очень компактной и гладкие, с хорошей коррозионной стойкостью, и адгезионная прочность тела является очень сильным.
Магнетронного распыления: в вакуумной среде, цель бомбардировке ионами ионизированный инертного газа через комбинированного действия напряжения и магнитное поле, что приводит к целевой выбрасывается в виде ионов, атомов или молекул и хранение на субстрат для форма пленки. В зависимости от исходного ионизации дирижер и не проводниковый материал может распыленных как целевой материалы.
Ионный луч DLC: ионизированный газ углеводородный плазмы в источнике ионов. Под общим воздействием электромагнитного поля ионов углерода освобождается от источника ионов. Энергии луча иона контролируется регулировки напряжения в плазме. Углеводородов ионный луч направляется к подложке и скорость осаждения пропорциональна плотности тока иона. Источник ионов луч звезды дуги покрытия настолько высокого напряжения, энергия иона больше, что делает фильм и субстрата имеют хорошую адгезию. Больших Ион текущего ускоряет скорость осаждения DLC пленки. Главным преимуществом технологии ионного пучка является, что она может депонировать ультра-тонкий и многослойную структуру, процесс контроля точности может достигать нескольких ангстрем, и дефекты, вызванные частицы загрязнения в процессе может быть сведено к минимуму.
