Факторы влияния для скорости напыления магнетронной мишени

Скорость напыления напылением является параметром, характеризующим скорость осаждения. Скорость осаждения определяется типом и давлением рабочего газа, целевых видов, площади травления распылением, температуры поверхности мишени и напряженности магнитного поля мишени, расстояния между мишенью и подложкой. Кроме того, на него также напрямую влияет плотность мощности поверхности мишени, то есть «напряжение и ток распыления» целевого источника питания.

1. Напряжение и скорость напыления

Чем сильнее и плотнее плазма между областями управления магнитным полем магнетронной мишени, тем выше скорость атомного отрыва на мишени. Среди факторов, которые влияют на коэффициент распыления, после мишени, напыляют газ и другие факторы, более эффективное напряжение на входе магнетронной мишени. В общем случае при нормальном процессе магнетронного распыления чем выше напряжение разряда, тем больше коэффициент распыления магнетронной мишени; т. е. большую энергию падающих ионов, больший коэффициент распыления. В диапазоне энергии, необходимой для осаждения распыления, его влияние умеренное и постепенное.

2. Частота распыления и скорость осаждения

Ток распыления магнетронной мишени пропорционален ионному току мишени, поэтому воздействие на скорость осаждения намного больше напряжения. Существует два способа увеличить ток распыления: один - увеличить рабочее напряжение, а другой - увеличить давление рабочего газа. Скорость осаждения соответствует оптимальному значению давления. При этом давлении газа относительная скорость осаждения является самой высокой. Это явление является общим правилом магнетронного распыления. Не влияя на качество пленки или удовлетворяя требованиям пользователя, уместно рассмотреть оптимальное значение давления газа на основе выхода распыления.

3. Распыление мощности и скорость осаждения

В общем, когда мощность распыления магнетронной мишени возрастает, скорость осаждения пленки также увеличивается. Существует предпосылка, что напряжение распыления, приложенное к магнетронной мишени, достаточно велико, так что энергия, получаемая ионами рабочего газа в электрическом поле между катодом и анодом, достаточна, чтобы превышать «порог энергии распыления» мишени. Иногда магнетронная мишень имеет очень низкое напряжение распыления (например, более 200 вольт), но ток распыления относительно высок. Хотя средняя мощность распыления невелика, целевое ионное распыление нельзя распылять и наносить на пленку. Запись данных о напылении и данных о напылении магнетронной мишени может не только помочь нам узнать «силу распыления» магнетронной мишени, но также может помочь нам примерно понять уровень энергии иона-бомбардирующего мишени и правильно оценить состояние осаждения целевого иона. Это поможет проанализировать проблемы и явления во многих процессах вакуумного покрытия.